研究・開発
MOCVD装置を用いたオプトデバイス、 パワーデバイスの結晶成長エンジニア
MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs InP AlN GaN関連材料）の結晶成長に関する業務をご担当いただきます。
・GaAs系 InP系赤外LED・PDの結晶成長に関する業務
・デバイス特性向上に向けたMOCVDを用いたプロセス条件最適化
・MOCVD装置設計の最適化
■下記いずれかのご経験を有する方
・パワーデバイス向けGaN系エピ基板開発もしくは製造におけるMOCVD技術経験
・オプトデバイス向けGaAs･InP･AlN･GaNおよびその関連材料のエピ成長開発もしくは製造におけるMOCVD技術経験
・GaAs･InP･AlN･GaNおよびその関連材料向けのMOCVD装置の装置開発・設計の技術経験
| 雇用形態 | 正社員（中途） |
|---|---|
| 給与 | 月給：250,000円〜350,000円 ■賞与：年2回（6月、12月） ■昇給：年1回（4月） |
| 勤務時間 | 08:00〜17:00 |
| 休日・ 休暇 |
＜休日＞ ・完全週休2日制 ・年間休日119日（直近実績） ※勤務地によって異なる場合あり ＜休暇＞ 年次有給休暇、慶弔休暇、産前産後休暇、リフレッシュ休暇、介護休暇、育児関連休暇等 |
| 待遇・ 福利厚生 |
・退職金制度（確定拠出年金、マッチング拠出含む） ・寮・社宅完備、希望者全員入寮可（負担費用例：30歳/非管理職の場合、【寮】月額5,000円～7,000円、【社宅】月額17,500円～24,000円） ・カフェテリアプラン（カフェテリアポイント年額21,000円） ・保養所（箱根、安比ほか） ・財形貯蓄制度 ・企業年金制度 ・共済会制度 ・グループ保険 ・各種生命保険団体払契約 ・持株会 |
| 勤務地 | 秋田県秋田市飯島字砂田1 DOWAセミコンダクター秋田株式会社 |
研究・開発
化合物半導体の研究開発技術者（ＬＥＤ電極形成経験者）
■業務内容：
MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs InP AlN GaN関連材料）の結晶成長に関する研究開発業務をご担当いただきます。
【具体的な業務内容】
◇GaAs系 InP系赤外LED・PDの結晶成長に関する業務
◇デバイス特性向上に向けたMOCVDを用いたプロセス条件最適化／MOCVD装置設計の最適化
■働き方：残業時間は月平均20時間程度です。
■配属先について：
DOWAホールディングス株式会社での採用にてDOWAセミコンダクター秋田株式会社への在籍出向となります。
【DOWAセミコンダクター秋田株式会社について】
当社は1982年に同和鉱業株式会社の半導体材料研究所として創立され、秋田県秋田市飯島の地で化合物半導体材料の研究開発をスタートしました。その後1993年に株式会社同和半導体を設立し化合物半導体材料の製造、販売を始め国内外の電気メーカーにお客様として化合物半導体製品を供給しています。2006年、株式会社同和半導体からDOWAセミコンダクター秋田株式会社へと社名を変更し、化合物半導体市場において事業を拡大して参りました。特にLED事業は血中酸素濃度計のセンサーから始まり、携帯電話の赤外線通信、スマートフォンやウェアラブル端末と呼ばれる様々なデバイス等に搭載され、時代の流れとともに用途を変えながら生活の利便性を支える技術により社会の発展に貢献してきました。これからも新たな技術、さらなる品質向上に挑戦し、モノづくりの原点である現場力の向上を図りながら、秋田から世界へより良い製品を提供していきます。
分析
化学分析【岡山県岡山市】
DOWAグループ岡山地区の各工場における工程及び製品、開発品などの各種粉体の分析、化学分析をお任せ致します。
まずは現場業務を中心に業務上の管理から行っていただき、スキル・ご経験により、徐々に管理業務をお任せします。
具体的には溶液化や分離などの前処理と分析機器等を用いた不純物の含有量、構成元素の割合などの測定を行います。
電子顕微鏡を使用した観察、組成分析も一部実施します。
＜例＞
・サンプルの前処理(溶解方法、妨害元素の除去方法等)
・分析方法の選定、条件の検討、測定、報告